譜純氣體|各地配送(圖)-四氟化碳廠商-合肥四氟化碳：

四氟化1碳一般認為是惰性低毒物質，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

四氟化碳是一種鹵代烴，化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產品的需求量不斷攀升，高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業的主要增長動力。在全球范圍內，高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區、北美、中東、非洲和南美洲等地區，受電子產業發展程度不同影響，對于高純度四氟化碳的需求也不同，亞洲地區由于電子產業發展落后，近幾年電子電器行業處于快速發展狀態，因此使得該地區的高純度四氟化碳消費量持續攀升。

隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴，化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學性質穩定，高純四氟化碳是一種高純電子氣體，在電子產業中需求量大。

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