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譜純氣體|各地配送(圖)-四氟化碳廠商-合肥四氟化碳

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    四氟化1碳一般認為是惰性低毒物質,在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。












    四氟化碳是一種鹵代烴,化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業的主要增長動力。在全球范圍內,高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區、北美、中東、非洲和南美洲等地區,受電子產業發展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區由于電子產業發展落后,近幾年電子電器行業處于快速發展狀態,因此使得該地區的高純度四氟化碳消費量持續攀升。

    隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質對芯片的損害更為明顯,電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴,化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學性質穩定,高純四氟化碳是一種高純電子氣體,在電子產業中需求量大。

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